IDT70V18L
High-Speed 3.3V 64K x 9 Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing (1,5)
t WC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
ADDR "A"
INTERRUPT SET ADDRESS
(2)
t AS
(3)
t WR
(4)
CE "A"
R/ W "A"
t INS
(3)
INT "B"
4854 drw 15
t RC
ADDR "B"
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(3)
t AS
(2)
CE "B"
OE "B"
t INR (3)
INT "B"
4854 drw 16
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. Refer to Interrupt Truth Table.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
5. Refer to Truth Table I - Chip Enable.
Truth Table IV — Interrupt Flag (1,4,5)
Left Port
Right Port
L
H
R/ W L
L
X
X
X
CE L
L
X
X
L
OE L
X
X
X
L
A 15L -A 0L
FFFF
X
X
FFFE
INT L
X
X
L (3)
(2)
R/ W R
X
X
L
X
CE R
X
L
L
X
OE R
X
L
X
X
A 15R -A 0R
X
FFFF
FFFE
X
INT R
(2)
H (3)
X
X
Function
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
4854 tbl 16
NOTES:
1. Assumes BUSY L = BUSY R =V IH .
2. If BUSY L = V IL , then no change.
3. If BUSY R = V IL , then no change.
4. INT L and INT R must be initialized at power-up.
5. Refer to Truth Table I - Chip Enable.
13
相关PDF资料
IDT70V25L55G IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA
IDT70V261L25PFGI IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
IDT70V26L35G IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA
IDT70V27S15PF IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP
IDT70V28L20PFGI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT70V3319S166PRFG IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP
IDT70V3379S5PRFI IC SRAM 576KBIT 5NS 128TQFP
IDT70V3389S5PRFI IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP
相关代理商/技术参数
IDT70V18L20PFI8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V19L15PF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V19L15PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V19L20PF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V19L20PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V19L20PFI 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V19L20PFI8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V24L15J 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF